Infineon IPP220N25NFDAKSA1 MOSFET

Код товара RS: 145-8744Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP220N25NFDAKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

61 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

OptiMOS FD

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

15.95мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPP220N25NFDAKSA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPP220N25NFDAKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

61 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

OptiMOS FD

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

15.95мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.