Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1

Код товара RS: 218-3060Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPG20N10S436AATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

PG-TDSON-8-10

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0,036 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N10S436AATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

PG-TDSON-8-10

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0,036 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний