Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90P04P4L04ATMA1

Код товара RS: 827-5230Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD90P04P4L04ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

135 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 7 956,60

тг 397,83 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90P04P4L04ATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 7 956,60
40тг 15 913,20
60тг 23 869,80
80тг 31 826,40
100тг 30 396,00
120тг 36 475,20
140тг 42 554,40
160тг 48 633,60
180тг 54 712,80
200тг 60 792,00
220тг 66 871,20
240тг 72 950,40
260тг 79 029,60
280тг 85 108,80
300тг 91 188,00

тг 7 956,60

тг 397,83 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90P04P4L04ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 7 956,60
40тг 15 913,20
60тг 23 869,80
80тг 31 826,40
100тг 30 396,00
120тг 36 475,20
140тг 42 554,40
160тг 48 633,60
180тг 54 712,80
200тг 60 792,00
220тг 66 871,20
240тг 72 950,40
260тг 79 029,60
280тг 85 108,80
300тг 91 188,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 397,83тг 7 956,60
100 - 480тг 303,96тг 6 079,20
500 - 1180тг 272,67тг 5 453,40
1200 - 2480тг 241,38тг 4 827,60
2500+тг 236,91тг 4 738,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

135 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.