Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,33 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
530 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.25мм
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,5 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,33 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
530 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.25мм
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,5 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре