Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
460 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
270 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,58 нКл при 4,5 В
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
460 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
270 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,58 нКл при 4,5 В
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре