Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 460 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 DMG1013T-7

Код товара RS: 751-4076PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG1013T-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

460 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

270 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Типичный заряд затвора при Vgs

0,58 нКл при 4,5 В

Ширина

0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 460 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 DMG1013T-7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 460 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 DMG1013T-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

460 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

270 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Типичный заряд затвора при Vgs

0,58 нКл при 4,5 В

Ширина

0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.