Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7

Код товара RS: 822-2508PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMC2038LVT-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,1 А, 5,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

TSOT-26

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

56 мОм, 168 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В, 14 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.65мм

Длина

2.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,1 А, 5,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

TSOT-26

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

56 мОм, 168 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В, 14 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.65мм

Длина

2.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.