Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,1 А, 5,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
56 мОм, 168 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В, 14 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.65мм
Длина
2.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
2,1 А, 5,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
56 мОм, 168 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В, 14 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.65мм
Длина
2.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре