Wolfspeed SiC MOSFET, 1200 V CAB450M12XM3

Код товара RS: 192-3386Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: CAB450M12XM3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 mW

Maximum Gate Source Voltage

-4 V, 19 V

Number of Elements per Chip

1

Width

53mm

Length

80mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1330 nC @ 4/15V

Transistor Material

SiC

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

15.75mm

Страна происхождения

United States

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Wolfspeed SiC MOSFET, 1200 V CAB450M12XM3

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Wolfspeed SiC MOSFET, 1200 V CAB450M12XM3
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 mW

Maximum Gate Source Voltage

-4 V, 19 V

Number of Elements per Chip

1

Width

53mm

Length

80mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1330 nC @ 4/15V

Transistor Material

SiC

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

15.75mm

Страна происхождения

United States