Wolfspeed C2M1000170D MOSFET

Код товара RS: 904-7345PБренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C2M1000170D
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

1700 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Максимальное рассеяние мощности

69 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-5 В, +20 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 20 В, 13 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

3.8V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

P.O.A.

Wolfspeed C2M1000170D MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Wolfspeed C2M1000170D MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

1700 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Максимальное рассеяние мощности

69 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-5 В, +20 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 20 В, 13 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

3.8V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed