Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
57 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 8 493,00
тг 1 698,60 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 8 493,00
тг 1 698,60 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 1 698,60 | тг 8 493,00 |
25 - 95 | тг 1 488,51 | тг 7 442,55 |
100 - 245 | тг 1 242,66 | тг 6 213,30 |
250 - 495 | тг 1 117,50 | тг 5 587,50 |
500+ | тг 1 005,75 | тг 5 028,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
57 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
90 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре