Vishay N-Channel MOSFET, 57 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB SUP57N20-33-E3

Код товара RS: 708-5014Бренд: VishayПарт-номер производителя: SUP57N20-33-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

57 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 8 493,00

тг 1 698,60 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 57 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB SUP57N20-33-E3
Select packaging type

тг 8 493,00

тг 1 698,60 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 57 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB SUP57N20-33-E3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 698,60тг 8 493,00
25 - 95тг 1 488,51тг 7 442,55
100 - 245тг 1 242,66тг 6 213,30
250 - 495тг 1 117,50тг 5 587,50
500+тг 1 005,75тг 5 028,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

57 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,75 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor