Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

Код товара RS: 228-2912PБренд: VishayПарт-номер производителя: SiR876BDP-T1-RE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

51.4 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0108 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

51.4 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0108 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний