Vishay SiHB28N60EF-GE3 MOSFET

Код товара RS: 177-7628Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHB28N60EF-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

EF Series

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

123 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SiHB28N60EF-GE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SiHB28N60EF-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

EF Series

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

123 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor