Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А, 4,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ, 170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
6,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,1 нКл при 8 В, 9,7 нКл при 8 В
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А, 4,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ, 170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
6,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,1 нКл при 8 В, 9,7 нКл при 8 В
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре