Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

Код товара RS: 818-1441Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIA416DJ-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

PowerPAK SC-70

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

2.15мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 112,40

тг 205,62 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 4 112,40
40тг 8 224,80
60тг 12 337,20
80тг 16 449,60
100тг 20 562,00
120тг 24 674,40
140тг 28 786,80
160тг 32 899,20
180тг 37 011,60
200тг 41 124,00
220тг 45 236,40
240тг 49 348,80
260тг 53 461,20
280тг 57 573,60
300тг 46 935,00

тг 4 112,40

тг 205,62 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 4 112,40
40тг 8 224,80
60тг 12 337,20
80тг 16 449,60
100тг 20 562,00
120тг 24 674,40
140тг 28 786,80
160тг 32 899,20
180тг 37 011,60
200тг 41 124,00
220тг 45 236,40
240тг 49 348,80
260тг 53 461,20
280тг 57 573,60
300тг 46 935,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 280тг 205,62тг 4 112,40
300 - 580тг 156,45тг 3 129,00
600 - 1480тг 134,10тг 2 682,00
1500 - 2980тг 107,28тг 2 145,60
3000+тг 98,34тг 1 966,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

PowerPAK SC-70

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

2.15мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor