Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3

Код товара RS: 919-4218Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4090DY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

7,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

45,6 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI4090DY-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3

P.O.A.

Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Vishay SI4090DY-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

7,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

45,6 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI4090DY-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)