Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
ThunderFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
7,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45,6 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
ThunderFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
7,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
45,6 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре