Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 8 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 860,80
тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 860,80
тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 280 | тг 143,04 | тг 2 860,80 |
300 - 580 | тг 125,16 | тг 2 503,20 |
600 - 1480 | тг 111,75 | тг 2 235,00 |
1500 - 2980 | тг 93,87 | тг 1 877,40 |
3000+ | тг 71,52 | тг 1 430,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 8 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре