Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3

Код товара RS: 812-3110Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2323DDS-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 8 В

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2323DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 183,27Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 860,80

тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
Select packaging type

тг 2 860,80

тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 280тг 143,04тг 2 860,80
300 - 580тг 125,16тг 2 503,20
600 - 1480тг 111,75тг 2 235,00
1500 - 2980тг 93,87тг 1 877,40
3000+тг 71,52тг 1 430,40
Вас может заинтересовать
Vishay SI2323DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 183,27Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 8 В

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI2323DS-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 183,27Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI2323CDS-T1-GE3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)