Vishay N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
630 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
240 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.86мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
1,3 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.68мм
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 162,20
тг 58,11 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 1 162,20
тг 58,11 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 58,11 | тг 1 162,20 |
| 100 - 240 | тг 49,17 | тг 983,40 |
| 260 - 980 | тг 44,70 | тг 894,00 |
| 1000 - 2980 | тг 44,70 | тг 894,00 |
| 3000+ | тг 44,70 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
630 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SC-75
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
240 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
0.86мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
1,3 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.68мм
Высота
0.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре