Vishay IRFD9014PBF MOSFET

Код товара RS: 178-0919Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD9014PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.29мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

3.37мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay IRFD9014PBF MOSFET

P.O.A.

Vishay IRFD9014PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.29мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

3.37мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
P.O.A.Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)