Vishay IRFBG30PBF MOSFET

Код товара RS: 541-1146Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFBG30PBFDistrelec Article No.: 17115229
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 652,62

тг 652,62 Each (ex VAT)

Vishay IRFBG30PBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 652,62
2тг 1 305,24
3тг 1 957,86
4тг 2 610,48
5тг 3 263,10
6тг 3 915,72
7тг 4 568,34
8тг 5 220,96
9тг 5 873,58
10тг 6 526,20
11тг 7 178,82
12тг 7 831,44
13тг 8 484,06
14тг 9 136,68
15тг 9 789,30

тг 652,62

тг 652,62 Each (ex VAT)

Vishay IRFBG30PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 652,62
2тг 1 305,24
3тг 1 957,86
4тг 2 610,48
5тг 3 263,10
6тг 3 915,72
7тг 4 568,34
8тг 5 220,96
9тг 5 873,58
10тг 6 526,20
11тг 7 178,82
12тг 7 831,44
13тг 8 484,06
14тг 9 136,68
15тг 9 789,30

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 652,62
25 - 99тг 634,74
100 - 249тг 567,69
250 - 499тг 505,11
500+тг 442,53
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

80 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)