Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

27,8 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

3.15мм

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,5 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China