Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
56 А
Максимальное напряжение сток-исток
120 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
69 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 628,36
тг 657,09 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
тг 2 628,36
тг 657,09 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
4 - 36 | тг 657,09 | тг 2 628,36 |
40 - 76 | тг 522,99 | тг 2 091,96 |
80 - 144 | тг 478,29 | тг 1 913,16 |
148 - 296 | тг 438,06 | тг 1 752,24 |
300+ | тг 375,48 | тг 1 501,92 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
56 А
Максимальное напряжение сток-исток
120 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
69 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре