Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S

Код товара RS: 827-6230Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK56A12N1,S4X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

56 А

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

69 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 628,36

тг 657,09 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
Select packaging type

тг 2 628,36

тг 657,09 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
4 - 36тг 657,09тг 2 628,36
40 - 76тг 522,99тг 2 091,96
80 - 144тг 478,29тг 1 913,16
148 - 296тг 438,06тг 1 752,24
300+тг 375,48тг 1 501,92

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

56 А

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

69 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba