Toshiba TK N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DP TK50P04M1(T6RSS-Q)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
TK
Тип корпуса
DP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 5 В, 38 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 1 273,95
тг 254,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 1 273,95
тг 254,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 254,79 | тг 1 273,95 |
| 25 - 145 | тг 196,68 | тг 983,40 |
| 150 - 245 | тг 174,33 | тг 871,65 |
| 250 - 495 | тг 151,98 | тг 759,90 |
| 500+ | тг 129,63 | тг 648,15 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
TK
Тип корпуса
DP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 5 В, 38 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре