TK40E06N1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TK, 3-Pin TO-220 Toshiba

Код товара RS: 796-5099PБренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK40E06N1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

67 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba TK40E06N1 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

TK40E06N1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TK, 3-Pin TO-220 Toshiba
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

TK40E06N1 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TK, 3-Pin TO-220 Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Toshiba TK40E06N1 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

67 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
Toshiba TK40E06N1 MOSFET
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)