Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
4.45мм
Высота
15.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 3 508,95
тг 701,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 508,95
тг 701,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 701,79 | тг 3 508,95 |
25 - 45 | тг 558,75 | тг 2 793,75 |
50 - 120 | тг 509,58 | тг 2 547,90 |
125 - 245 | тг 469,35 | тг 2 346,75 |
250+ | тг 402,30 | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Ширина
4.45мм
Высота
15.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре