Toshiba SSM6 Dual N-Channel MOSFET, 180 mA, 20 V, 6-Pin US6 SSM6N35FU(TE85L,F)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
US6
Серия
SSM6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
20 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Длина
1.25мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Dual MOSFET N-Channel SSM6Nxx, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 983,40
тг 98,34 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 983,40
тг 98,34 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 98,34 | тг 983,40 |
| 50 - 140 | тг 67,05 | тг 670,50 |
| 150 - 490 | тг 58,11 | тг 581,10 |
| 500 - 990 | тг 49,17 | тг 491,70 |
| 1000+ | тг 40,23 | тг 402,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
US6
Серия
SSM6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
20 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Длина
1.25мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре