Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
2SJ
Тип корпуса
SOT-346
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
2SJ
Тип корпуса
SOT-346
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре