Texas Instruments CSD19536KTTT MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

272 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 0 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

4.83мм

Страна происхождения

Philippines