Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 134 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18531Q5A

Код товара RS: 827-4886Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD18531Q5A
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

134 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 425,30

тг 885,06 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 134 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18531Q5A
Select packaging type

тг 4 425,30

тг 885,06 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 134 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18531Q5A
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 885,06тг 4 425,30
50 - 95тг 652,62тг 3 263,10
100 - 245тг 643,68тг 3 218,40
250 - 495тг 572,16тг 2 860,80
500+тг 487,23тг 2 436,15

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

134 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSONP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments