Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
STripFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
84 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.15мм
Длина
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
STripFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
84 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.15мм
Длина
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре