Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET H7
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
315 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
180 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.75мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 4 318,02
тг 2 159,01 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 4 318,02
тг 2 159,01 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 48 | тг 2 159,01 | тг 4 318,02 |
50 - 248 | тг 1 779,06 | тг 3 558,12 |
250 - 498 | тг 1 425,93 | тг 2 851,86 |
500 - 998 | тг 1 054,92 | тг 2 109,84 |
1000+ | тг 978,93 | тг 1 957,86 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET H7
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
315 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
180 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.75мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.