STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP310N10F7

Код товара RS: 786-3798Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP310N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

315 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

180 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 318,02

тг 2 159,01 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP310N10F7
Select packaging type

тг 4 318,02

тг 2 159,01 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP310N10F7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 2 159,01тг 4 318,02
50 - 248тг 1 779,06тг 3 558,12
250 - 498тг 1 425,93тг 2 851,86
500 - 998тг 1 054,92тг 2 109,84
1000+тг 978,93тг 1 957,86

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

315 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

180 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics