STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP30NF10

Код товара RS: 485-7585Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP30NF10
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP30NF10
Select packaging type

тг 2 436,15

тг 487,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP30NF10
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 487,23тг 2 436,15
25 - 95тг 379,95тг 1 899,75
100 - 245тг 308,43тг 1 542,15
250 - 495тг 303,96тг 1 519,80
500+тг 272,67тг 1 363,35

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics