STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP10NM60N

Код товара RS: 760-9972Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP10NM60N
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Transistor,MOSFET,N-channel,is
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 240,75

тг 648,15 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP10NM60N
Select packaging type

тг 3 240,75

тг 648,15 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP10NM60N
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 648,15тг 3 240,75
10 - 45тг 505,11тг 2 525,55
50 - 95тг 442,53тг 2 212,65
100 - 245тг 393,36тг 1 966,80
250+тг 362,07тг 1 810,35
Вас может заинтересовать
Transistor,MOSFET,N-channel,is
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Transistor,MOSFET,N-channel,is
P.O.A.Each (ex VAT)