STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7

Код товара RS: 786-3741Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL60N10F7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerFLAT

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 257,35

тг 451,47 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Select packaging type

тг 2 257,35

тг 451,47 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
5 - 45тг 451,47тг 2 257,35
50 - 245тг 447,00тг 2 235,00
250 - 495тг 438,06тг 2 190,30
500 - 2995тг 429,12тг 2 145,60
3000+тг 415,71тг 2 078,55

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

PowerFLAT

Серия

STripFET H7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics