Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 257,35
тг 451,47 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 257,35
тг 451,47 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
5 - 45 | тг 451,47 | тг 2 257,35 |
50 - 245 | тг 447,00 | тг 2 235,00 |
250 - 495 | тг 438,06 | тг 2 190,30 |
500 - 2995 | тг 429,12 | тг 2 145,60 |
3000+ | тг 415,71 | тг 2 078,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Серия
STripFET H7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.