STMicroelectronics STH65N N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 STH65N050DM9-7AG

Код товара RS: 481-129Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STH65N050DM9-7AG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

51 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

H2PAK-7

Серия

STH65N

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Количество элементов на ИС

1

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STH65N N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 STH65N050DM9-7AG

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics STH65N N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 STH65N050DM9-7AG
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

51 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

H2PAK-7

Серия

STH65N

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Количество элементов на ИС

1

Страна происхождения

China