Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 503,20
тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 503,20
тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 20 | тг 250,32 | тг 2 503,20 |
30 - 90 | тг 245,85 | тг 2 458,50 |
100 - 240 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
250 - 490 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
500+ | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.4мм
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.