STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD25NF10LT4
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 5 В
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 1 855,05
тг 371,01 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 855,05
тг 371,01 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 371,01 | тг 1 855,05 |
| 25 - 45 | тг 290,55 | тг 1 452,75 |
| 50 - 120 | тг 254,79 | тг 1 273,95 |
| 125 - 245 | тг 227,97 | тг 1 139,85 |
| 250+ | тг 210,09 | тг 1 050,45 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 5 В
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.