STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6

Код товара RS: 202-5496Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB33N60DM6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

ST

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,115 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

ST

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,115 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1