Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
H2PAK-7
Серия
SCT
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
7
Номер канала
Поднятие
Материал транзистора
SiC
Страна происхождения
Italy
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
1
P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
H2PAK-7
Серия
SCT
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
7
Номер канала
Поднятие
Материал транзистора
SiC
Страна происхождения
Italy