onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
тг 2 682,00
тг 26,82 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 2 682,00
тг 26,82 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 100 - 100 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 200 - 400 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 500 - 900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 1000 - 2400 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 2500+ | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.