Infineon BFS481H6327XTSA1 Dual NPN Transistor, 12 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
175 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
тг 1 877,40
тг 187,74 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 1 877,40
тг 187,74 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 240 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
| 250 - 990 | тг 147,51 | тг 1 475,10 |
| 1000 - 4990 | тг 129,63 | тг 1 296,30 |
| 5000 - 29990 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 30000+ | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
175 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon