Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
68 А
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
NVTFS6H850N
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
3.15мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Высота
0.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
68 А
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
NVTFS6H850N
Тип корпуса
WDFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
3.15мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Высота
0.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V