onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG

Код товара RS: 172-3379Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVTFS6H850NTAG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

68 А

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

NVTFS6H850N

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

107 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

68 А

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

NVTFS6H850N

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

107 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V