onsemi NVD5C434N N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C434NT4G

Код товара RS: 141-3991Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVD5C434NT4G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

163 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

NVD5C434N

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

117 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.22мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80,6 нКл при 10 В

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

2.38мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NVD5C434N N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C434NT4G
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

P.O.A.

onsemi NVD5C434N N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C434NT4G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

163 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

NVD5C434N

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

117 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.22мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

80,6 нКл при 10 В

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

2.38мм

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor