onsemi Dual P-Channel MOSFET, 430 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G

Код товара RS: 780-4795PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTZD3152PT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

430 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-563

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,7 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 430 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 430 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

430 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-563

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,7 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor