ON Semiconductor NTS2101PT1G MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

210 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6,4 нКл при 5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China