onsemi SiC N-Channel MOSFET, 54 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L NTH4L040N120M3S

Код товара RS: 284-9066Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTH4L040N120M3S
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247-4L

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi SiC N-Channel MOSFET, 54 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L NTH4L040N120M3S
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi SiC N-Channel MOSFET, 54 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L NTH4L040N120M3S
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247-4L

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC