onsemi NTBL02 SiC N-Channel MOSFET, 77 A, 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL023N065M3S

Код товара RS: 333-415Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTBL023N065M3S
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

77 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

NTBL02

Тип корпуса

H-PSOF8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Philippines

P.O.A.

onsemi NTBL02 SiC N-Channel MOSFET, 77 A, 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL023N065M3S
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi NTBL02 SiC N-Channel MOSFET, 77 A, 650 V, 8-Pin H-PSOF8L NTBL023N065M3S

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

77 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

NTBL02

Тип корпуса

H-PSOF8L

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Philippines