onsemi P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK FQD17P06TM
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
135 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 586,85
тг 317,37 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 586,85
тг 317,37 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 317,37 | тг 1 586,85 |
| 25 - 95 | тг 250,32 | тг 1 251,60 |
| 100 - 245 | тг 169,86 | тг 849,30 |
| 250 - 495 | тг 165,39 | тг 826,95 |
| 500+ | тг 160,92 | тг 804,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
135 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.