ON Semiconductor FDP4D5N10C MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

128 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.67мм

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

48 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

15.21мм

Страна происхождения

China