Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,5 нКл при 4,5 В
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 117,50
тг 111,75 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 117,50
тг 111,75 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
50 - 90 | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
100 - 240 | тг 62,58 | тг 625,80 |
250 - 490 | тг 62,58 | тг 625,80 |
500+ | тг 58,11 | тг 581,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
PowerTrench
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,5 нКл при 4,5 В
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.