onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 4.4 A, 100 V, 8-Pin Power 33 FDMC86139P

Код товара RS: 864-8215Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMC86139P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 33

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

104 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.725мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 123,25

тг 424,65 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 4.4 A, 100 V, 8-Pin Power 33 FDMC86139P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 123,25
10тг 4 246,50
15тг 6 369,75
20тг 8 493,00
25тг 8 828,25
30тг 10 593,90
35тг 12 359,55
40тг 14 125,20
45тг 15 890,85
50тг 17 656,50
55тг 19 422,15
60тг 21 187,80
65тг 22 953,45
70тг 24 719,10
75тг 26 484,75

тг 2 123,25

тг 424,65 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 4.4 A, 100 V, 8-Pin Power 33 FDMC86139P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 123,25
10тг 4 246,50
15тг 6 369,75
20тг 8 493,00
25тг 8 828,25
30тг 10 593,90
35тг 12 359,55
40тг 14 125,20
45тг 15 890,85
50тг 17 656,50
55тг 19 422,15
60тг 21 187,80
65тг 22 953,45
70тг 24 719,10
75тг 26 484,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 424,65тг 2 123,25
25 - 245тг 353,13тг 1 765,65
250 - 995тг 326,31тг 1 631,55
1000 - 2995тг 277,14тг 1 385,70
3000+тг 245,85тг 1 229,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 33

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

104 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.725мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.