ON Semiconductor FDG6303N MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
770 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.25мм
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,64 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
770 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.65V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Количество элементов на ИС
2
Ширина
1.25мм
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,64 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.